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豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET,专为手机锂电池电路保护设计

来源:IT之家 时间:2022-06-28 15:11:42   阅读量:6626   

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,MOSFET是电池封装中的一种安全保护开关最近,豪威集团推出了两款新的MOSFET WNMD2196A和WNM6008,业界内阻最低的双N沟道MOSFET

根据官方介绍,双N沟道增强型MOSFET wnmd 2196 a的内阻是业界同类产品中最低的,RSS低至1m它是专门为手机锂电池的电路保护而设计的WNMD2196A采用先进的沟槽技术设计,可提供出色的RSS并实现低栅极电荷高载流子迁移速度,低阈值电压和高开关速度可以实现更高的效率和更低的温升

本站了解到,采用最新一代屏蔽栅技术的WNM6008——80V大功率MOSFET,针对电信和服务器电源使用的更高开关频率进行了优化,具有超低FOM值WNM6008适用于DC—DC转换,电源开关和充电电路可有效为太阳能,电源,电池电源等应用赋能

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